gadsdenriverfest.com – Tim peneliti China mencatat kemajuan penting dalam pengembangan material feroelektrik untuk teknologi penyimpanan data.
Temuan ini membuka jalan menuju perangkat penyimpanan berkapasitas jauh lebih tinggi dibanding teknologi saat ini.
Riset tersebut dilakukan oleh tim dari Institut Fisika, Akademi Ilmu Pengetahuan China.
Hasil penelitian mereka dipublikasikan dalam jurnal ilmiah Science pada Jumat, 23 Januari.
Para peneliti berhasil mengidentifikasi dinding domain bermuatan satu dimensi dalam material feroelektrik berstruktur fluorit.
Struktur fluorit dikenal stabil dan memiliki potensi besar untuk aplikasi elektronik canggih.
Dinding domain yang ditemukan memiliki ukuran sangat kecil pada skala nanometer.
Ketebalan dan lebarnya hanya sekitar sepersekian ratus ribu dari diameter rambut manusia.
Baca juga:“Samsung dikabarkan pasok layar OLED terbaiknya untuk iPhone 18”
Material Feroelektrik Buka Jalan Penyimpanan Data Ultradensitas
Material feroelektrik memegang peran strategis dalam pengembangan teknologi masa depan.
Bidang penyimpanan data, penginderaan, dan kecerdasan buatan sangat bergantung pada kemajuan material ini.
Para peneliti menilai feroelektrik unggul karena mampu menyimpan informasi secara non-volatil.
Sifat ini memungkinkan data tetap tersimpan tanpa pasokan daya listrik terus-menerus.
Riset terbaru menunjukkan potensi besar pada dinding domain satu dimensional.
Struktur ini memungkinkan informasi disimpan dalam skala yang jauh lebih rapat dibanding metode konvensional.
Penyimpanan berbasis dinding domain dapat meningkatkan densitas hingga beberapa ratus kali lipat.
Lonjakan ini melampaui kemampuan teknologi penyimpanan magnetik dan semikonduktor saat ini.
Secara teoretis, densitas maksimum mencapai sekitar 20 terabita per sentimeter persegi.
Kapasitas tersebut setara dengan penyimpanan 10.000 film berdefinisi tinggi.
Jumlah tersebut juga setara dengan sekitar 200.000 video pendek berdefinisi tinggi.
Semua data itu dapat disimpan pada perangkat seukuran prangko.
Peneliti China Uji Kinerja Feroelektrik untuk Penyimpanan Data Generasi Baru
Seorang peneliti China melakukan pengujian penting pada material feroelektrik di Beijing.
Pengujian ini menandai langkah lanjut menuju teknologi penyimpanan data berkapasitas sangat tinggi.
Zhong Hai, peneliti pascadoktoral, menjalankan eksperimen di Institut Fisika.
Institut tersebut berada di bawah Akademi Ilmu Pengetahuan China.
Pengujian berlangsung di laboratorium riset Beijing pada 21 Januari 2026.
Kegiatan ini terdokumentasi dalam laporan visual yang dirilis oleh Xinhua.
Zhong Hai menguji kinerja feroelektrik menggunakan peralatan presisi berskala nano.
Pengujian ini bertujuan mengukur stabilitas dan respons domain material.
Material feroelektrik menarik perhatian karena mampu menyimpan informasi tanpa daya berkelanjutan.
Sifat ini membuatnya ideal untuk perangkat elektronik hemat energi.
Fokus riset terletak pada dinding domain satu dimensional.
Struktur ini memungkinkan kepadatan penyimpanan meningkat secara signifikan.
Baca juga:“Persija Kembali ke Jalur Kemenangan Usai Kalahkan Madura United 2-0”
Leave a Reply